前英特尔CEO基辛格押注新AI内存：Z2RAM拟绕开EUV光刻，4年内送样
IT之家 10 月 28 日消息，科技媒体 semiconleadersasia 昨日（10 月 27 日）发布博文，报道称前英特尔首席执行官帕特 · 基辛格（Pat Gelsinger）正通过风投机构 Playground Global，支持内存初创公司 Nagare Labs
一层“布”涨价270%之后，投资机构用数亿元投票玻璃基板，巽霖科技完成近2亿元B轮融资
在此背景下，国内玻璃基板领军企业巽霖科技宣布完成近2亿元B轮融资——这已是该公司半年内完成的第三轮次融资。
SSD跌成白菜价格，厂商最先进的232层闪存不推了
2022年内存、闪存两种存储芯片大幅下跌，使得固态硬盘和内存价格都有了较大的跌幅，对于消费来说能省下不少钱，但对于厂商来说这就不是什么好事情，不仅减产降低供应，而且在先进技术升级上也会放缓。
三星公布内存路线图：2027 年 DDR6 内存将突破 10Gbps
IT之家 10 月 8 日消息，据德媒 computerbase 消息，三星在 Samsung Foundry Forum 2022 活动中介绍了其内存路线图。
闪存，正式进入232层时代
“美光的 232 层 NAND是存储创新的分水岭，它首次证明了在生产中将 3D NAND 扩展到超过 200 层的能力，”美光技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer 说。
DRAM，三个方向
公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。来源：内容来自Yole，谢谢。 。受关税担忧影响，内存市场规模有望在 2025 年连续第二次创下 2000 亿美元纪录2024年伊始，数据中心AI训练工作负载需求激增，带动行业迎来新一轮增长势头。
232层3D闪存芯片来了：单片容量2TB，传输速度提高50%
232层的3D闪存芯片来了，数据传输速率提高50%，容量可达2TB。说起来，跟NAND层数较劲这事儿，并不是美光一家在做。
3D NAND，只能堆叠？
NAND发展似乎进入了一个怪圈。曾经的东芝存储，如今的铠侠刚宣布了一个好消息：随着存储市场的复苏，铠侠已经结束了NAND 闪存的减产策略，目前铠侠在日本三重县四日市和岩手县北上市两座工厂产线的产能利用率已提升至100%。
全球首款超过200层固态存储芯片问世：密度提升43%，性能翻倍
美光正在推动 232L NAND 作为 176L NAND 的全栈替代品——该公司认为新产品适用于从移动和物联网到 PC 和数据中心产品的所有领域。
铠侠投资者日：因为AI将首次分红，第十代闪存样品今夏交付，年均资本开支4700亿日元
在6月2日举行的投资者日上，铠侠宣布将推行累进股息政策，这是公司上市以来首次作出分红承诺。与此同时，公司披露第十代BiCS FLASH闪存样品将于今夏开始交付，并规划FY26至FY28年均资本支出约4700亿日元，较FY25大幅提升。